多图分析“各种拓扑”的“同步整流”技术

来自:电源联盟 2025-06-26 11:16:19

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多图分析“各种拓扑”的“同步整流”技术

引言

 

         从二十世纪末,由于MOSFET技术大幅度进步,使得MOSFET的导通电阻已经达到低于2mΩ,开关速度小于20ns。

 

         有的使用氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)器件并没有体二极管反向恢复(QRR),这使得DC/DC变换器中只要采用同步整流技术,初级即使不用软开关技术,也能给开关电源效率带来了巨大的提升。效率提升的百分点高达3%~8%,比软开关技术带来的效率提升要高得多,而且没有多少专利技术的限制。

 

         在36V-60V转12V、500KHZ降压转换器,氮化镓与MOSFET器件的效率比较。

         同步整流技术在使用上面早已不再局限于2.5V、3.3V、5V这些低输出电压领域,现在上至12V,15V,19V,24V至28V以下输出,几乎都在使用同步整流技术。

         下面我就来介绍和分析各种同步整流技术的优、缺点及其实现方法。

1、自驱动同步整流

         1,这是最早的方法,也是最简单和成本最低廉的技术。

         2,在输入电压典型值附近工作时,效果十分明显,在高端时,效率变差而且容易损坏MOSFET。

         3,有的自驱动同步整流电路受输入输出电压的限制。

 

 

 

         反激、单晶正激、推挽拓朴的自驱动同步整流电路

         反激拓朴的同步整流电路

反激拓朴的同步整流电路

 

 

 

 

         正激拓朴的同步整流电路

正激拓朴的同步整流电路

 

         双晶正激拓朴的同步整流实用电路(初级侧输入电压为PFC之后390VDC)

         有源箝位拓朴的同步整流电路

有源箝位拓朴的同步整流电路

 

 

         有源箝位正激拓朴的同步整流实用电路(VO=5V)

 

 

         半桥拓扑的同步整流电路

 半桥拓扑的同步整流电路

 

 

2、辅助绕组驱动的同步整流

         为了防止高端输入时同步整流的MOSFET栅极上的电压过高,改用从二次绕组中增加驱动绕组的方式。

         该方式可以有效地调节驱动同步整流的MOSFET的栅压,使它MOSFET栅压的合理区域,从而保护了MOSFET,提高了电源的可靠性,此外也将输出电压从5V扩展到24V。

 

 

 

 

3、控制IC方式的同步整流

         为了提高驱动同步整流MOSFET的效果,从而设计了各种模式的同步整流的控制驱动IC。

         1,控制IC驱动技术能克服自驱动技术的所带来的局限性。

         2,减少或消除体二极管导通,使用精确时间控制电路可减小反向恢复损耗。

         3,栅驱动电压可设置在最佳电平以使RDS(ON)最小。

         4,可以更加智能化控制(轻载时关掉同步整流驱动,预检测栅驱动技术等)。

         IR1167

主要特色有:

         --适应反激变换器的DCM,CRM及CCM三种模式工作。适应LLC式半桥。

         --最高500KHz工作频率。

         --2A源出5A漏入的输出驱动的能力。

         --栅驱动输出电压在10.7V到14.5V。

         --Vcc电压从11.3V到20V。

         --50ns关断比例延迟。

         --直接检测MOSFET的源漏电压。

 

 

IR1168

IR1168

 

NCP4303

其主要特点如下:

         --能用于各种拓朴,诸如反激(CCM,DCM,QR)、正激、半桥及LLC电路的同步整流控制。

         --工作电压范围从10.4V~28V,最高30V。

         --精确的二次侧零电流检测技术,零电流检测端能耐压到200V。

         --自动的用寄生电感补偿输入。

         --典型40nS关断延迟,从电流检测输入到驱动输出。

         --具有禁止输入,进入待机或低功耗工作模式。

         --可调独立于VCC水平的最小导通/关断时间。

         --5A/2.5A峰值电流漏入,源出水平。

         --栅驱动电压内部箝制为12V(NCP4303A)或6V(NCP4303B)。

         --低的起动及待机电流。

         --最高工作频率可达500KHZ。

         NCP4303A用于反激的同步整流电路

NCP4303A用于反激的同步整流电路

 

         NCP4303B用于LLC的同步整流电路

NCP4303B用于LLC的同步整流电路

 

UCC24610

主要特色如下:

         --高达600kHz工作频率;

         --VDS MOSFET检测;

         --1.6Ω漏入、2.0Ω源出的栅驱动阻抗;

         --自动轻载管理;

         --可以从休眠和轻载模式下同步唤醒;

         --可调输入的保护特色;

         --20ns典型的关断比例延迟;

         --可以直接从5V输出电压供电;

         UCC24610反激同步整流电路

UCC24610反激同步整流电路

 

         UCC24610反激同步整流电路

 UCC24610反激同步整流电路

 

 

         UCC24610 用于正激电路中做同步整流的电路

UCC24610 用于正激电路中做同步整流的电路

 

         UCC24610 用于有源箝位电路中做同步整流的

UCC24610 用于有源箝位电路中做同步整流的

 

         由UCC24610作LLC谐振半桥同步整流的电路

由UCC24610作LLC谐振半桥同步整流的电路

 

 

         由UCC24610作LLC谐振半桥同步整流的电路

由UCC24610作LLC谐振半桥同步整流的电路

 

LTC3900

         LTC3900通过一个脉冲变压器接受来自主端控制器的脉冲同步信号。 拥有一整套用于外部MOSFET 的保护功能。它内置了一种可编程超时功能,当同步信号丢失或错误时,该功能将停用两个驱动器。

         此外,该器件还利用箝位MOSFET 的漏-源极电阻来检测输出电感器电流,从而在电感器电流出现反向时关断 MOSFET。另外,如果电源电压过低,则LTC3900 还将关断驱动器。

 

SIP11203/4

SIP11203/04的主要特点如下:

         -- 非常高的驱动能力,源出2.2,漏入4A。

         -- 接受初级侧给出的同步信号,并能调节同步驱动信号的延迟。

         --电源起动及关断过程中完整的控制。

         --内含误差放大器及1.225V基准电压源。

         --输出过压保护。

         --反馈光耦的驱动。

 

SIP11203/4

SIP11203/4

 

LTC3766

         1,同步整流驱动。

         2,电压反馈(磁反馈)。

         3,真正的远端采样差分放大器。

         4,过热 / 过压保护。

         5,平均电流限制非常适合于电池充电应用。

 

4、具有同步整流驱动信号的PWM-IC

         在初级侧电路中,PWM-IC输出的同步整流信号经信号变压器或高速光耦传递至二次侧,再经过RC网络积分后,经过MOSFET驱动器去驱动同步整流的MOSFET。

         或者把PWM-IC放在二次侧,经过MOSFET驱动器去驱动同步整流的MOSFET。

         LTC3806反激的同步整流电路

LTC3806反激的同步整流电路

 

         LM5039的同步整流电路

LM5039的同步整流电路

 

 

         LM5039的同步整流电路

LM5039的同步整流电路

 

         ISL6752的同步整流电路

ISL6752的同步整流电路

 

         倍流整流的同步整流电路

倍流整流的同步整流电路

 

 

 

 

         ISL6754

ISL6754

 

         LM5046的同步整流电路

LM5046的同步整流电路

 

         混合式同步整流

混合式同步整流

 

 

5、总结

一,同步整流专用控制IC:

         STSR2、STSR30,IR1166/7,IR1168,NCP4303,UCC24610,LTC3900/1。

二,具有同步整流功能兼有其它功能的IC:

         MAX5058,MAX5059,NCP4302,LTC1698,LT3766。

三,具有同步整流驱动信号的PWM-IC:

         LTC3806,LTC3722/3,SC4910A/B,SIP11203/4,SI9122,LM5027,ISL6752/4,LM5045/6,UCC28950。

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